기술개요
- 소자의 주파수 특성을 향상시키는 질화갈륨계 반도체 소자 제조방법에 관한 기술
- 질화갈륨계 HEMT내에서 발생하는 외인성(extrinsic) 지연 성분을 감소시키기 위해 보호막의 일부를 리세스 식각하여 에어갭층을 형성
- 게이트 전극과 2차원 전자 가스층 사이에서 발생하는 프린징 커패시턴스*를 감소시켜 더 높은 주파수에서 동작 가능한 질화물계 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 기술
* 코일에 전류가 흘러 자속 발생 시 자속이 코일 외부로 새어나가는 현상
대표도면

GaN HEMT 소자 설계공정
기술의 우수성
- 하나의 MMIC의 출력이 GaAs 10W 대비 GaN 30W 이상으로 3배 이상의 출력전력 특성 보유
- GaAs 약 30% 대비 GaN 40%로 우수한 효율 특성으로 시스템의 고도화 가능
- GaAs 150℃ 대비 GaN 250 ℃의 높은 채널온도 특성과 SiC 기판의 우수한 열전도 특성으로 인한 방열의 우수성 구현
기술의 차별성
- GaN 고출력증폭기 MMIC는 기존의 10W급의 GaAs 고출력증폭기 MMIC보다 큰 출력전력과 높은 효율 특성 보유
- 높은 채널온도 특성과 우수한 열전도 특성으로 방열의 우수성을 구현하여 전력 증폭 기술의 획기적 발전에 기여
- 현재 X 대역 고출력증폭기 MMIC 등 핵심 송수신 부품들은 수출제한 품목으로 지정되어 있어 국내 수입이 불가능한 상황으로, 해당 기술개발을 통해 기술자립 가능
활용분야
- 고출력 레이더(AESA 레이더, 함정용 레이더, 선박용 레이더 등)
- 기지국용 전력증폭기