사업화 유망기술

1400V급 MCT(MOS Controlled Thyristor) 기술

MCT(MOS Controlled Thyristor) 기술

본 기술은 1400V급 MCT(MOS Controlled Thyristor) 기술이다.

보유기관 : 한국전자통신연구원       거래조건 : 협의 후 결정

기술완성도

TRL01

기초 이론/
실험

  • 연구과제 탐색 및 기회 발굴 단계
TRL02

실용 목적의 아이디어/
특허 등 개념 정립

  • 실용 목적의 아이디어, 특허 등 개념 정립
TRL03

연구실 규모의
성능 검증

  • 연구실/실험실 규모의 환경에서 기본 성능이 검증될 수 있는 단계
  • 개발하려는 시스템/부품의 기본 설계도면을 확보하는 단계
  • 모델링/설계기술 확보
TRL04

연구실 규모의
부품/시스템 성능평가

  • 연구실 규모의 부품/시스템 성능 평가가 완료된 단계
  • 실용화를 위한 핵심요소기술 확보
TRL05

시제품 제작/
성능평가

  • 개발한 부품/시스템의 시작품(Prototype) 제작 및 성능 평가
  • 경제성(생산성)을 고려하지 않고, 우수한 시작품을 1개~수개 미만으로 개발
TRL06

Pilot 단계 시작품
성능 평가

  • 경제성(생산성)을 고려한, 파일로트 규모의 시작품 제작 및 평가
  • 시작품 성능평가
TRL07

Pilot 단계 시작품
신뢰성 평가

  • 시작품의 신뢰성 평가
  • 실제 환경(수요기업)에서 성능 검증이 이루어지는 단계
TRL08

시작품 인증/
표준화

  • 일부 시제품의 인증 및 인허가 취득 단계
    - 조선 기자재의 경우 선급기관 인증, 의약품의 경우 식약청의 품목 허가 등
TRL09

사업화

  • 본격적인 양산 및 사업화 단계

기술개요

- MOS Gate로 On/Off가 가능한 사이리스터(Thyristor) 계열의 전력반도체 기술

- MOSFET이나 IGBT 등의 전력반도체보다 높은 전류밀도에서 전압손실이 적음

- MCT의 주된 응용분야인 펄스파워 응용분야에서 큰 피크전류와 높은 di/dt 특성을 가지고 있는 1400V급 실리콘 고전압스위치 MCT (MOS Controlled Thyristor) 기술임

대표도면

[1400V급 MOS Controlled Thyristor (MCT) 성능]

기술의 우수성

- 사이리스터(Thyristor) 계열의 전력반도체 소자로 On-상태에서 전압손실이 낮음

- MOS 게이트에 의한 전압구동 방식으로 구동회로의 구성이 용이하고 스위칭 속도가 빨라 고속, 고효율 전력부품 및 전원시스템 구현

- Turn-On 및 Turn-Off Gate 전압을 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 0V에서 Turn-Off가 가능한 Normally-OFF MCT 구현

- 미사일 신관 기폭부의 핵심부품으로 기존 스파크 갭 스위치 보다 정확도, 내구성, 안정성, 가격, 구동회로 구현 등에서 우수함

기술의 차별성

- 고전압 전력용 MCT 소자 기술은 1000V~3000V급 IGBT, Power MOSFET 등 다양한 전압/전류 레벨의 전력반도체 개발의 기반이 될 수 있으며, 가전기기, 신재생/대체 에너지, 전기자동차 등에 사용되는 전력반도체 부품 개발에 활용 가능

- 대전력분야에 적용할 경우 다양한 전력부품의 효율을 향상시킬 수 있어 부품 성능 향상 및 에너지 절감 가능

활용분야

- 기폭장치용 고전압스위치

- 산업용 전력변환시스템
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